Transistor R6020ENX

<p>Transistor R6020ENX<br />MOSFETs 10V Drive Nch MOSFET<br /><br />Especificações:<br />Fabricante: ROHM Semiconductor<br />Categoria do produto: MOSFETs<br />Tecnologia: Si<br />Estilo de montagem: Through Hole<br />Caixa/Gabinete: TO-220FM-3<br />Polaridade do transistor: Canal N<br />Número de canais: 1 canal<br />Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 600 V<br />Id - Corrente de condução contínua: 20 A<br />Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 170 mOhms<br />Vgs - Tensão de porta e fonte: - 20 V, + 20 V<br />Tensão de limite porta e fonte: 4 V<br />Qg - Carga na porta: 60 nC<br />Temperatura operacional mínima: - 55 C<br />Temperatura operacional máxima: + 150 C<br />Pd- Dissipação de potência: 68 W<br />Modo de canal: Aprimoramento<br />Embalagem: Vareta<br />Marca: ROHM Semiconductor<br />Configuração: Único<br />Tempo de queda: 67 ns<br />Transcondutância em avanço - Mínimo: 5 S<br />Altura: 15,4 mm<br />Comprimento: 10,3 mm<br />Tipo de Produto: MOSFETs<br />Tempo de ascensão: 53 ns<br />Série: Super Junction-MOS EN<br />Subcategoria: Transistores<br />Tipo de transistor: 1 canal N<br />Tempo de retardo de desligamento típico: 150 ns<br />Tempo típico de ativação/retardo: 35 ns<br />Largura: 4,8 mm<br />Analise do número da peça: R6020ENXC7G<br /><br />Especificações Técnicas:</p> <p> </p> <div class="_tableContainer_1rjym_1"> <div class="group _tableWrapper_1rjym_13 flex w-fit flex-col-reverse" tabindex="-1"> <table class="w-fit min-w-(--thread-content-width)" data-start="103" data-end="1149"> <thead data-start="103" data-end="154"> <tr data-start="103" data-end="154"> <th data-start="103" data-end="115" data-col-size="md">Parâmetro</th> <th data-start="115" data-end="139" data-col-size="md">Valor típico / máximo</th> <th data-start="139" data-end="154" data-col-size="sm">Observações</th> </tr> </thead> <tbody data-start="169" data-end="1149"> <tr data-start="169" data-end="208"> <td data-start="169" data-end="176" data-col-size="md">Tipo</td> <td data-start="176" data-end="208" data-col-size="md">N?channel MOSFET de potência</td> <td data-col-size="sm"> </td> </tr> <tr data-start="209" data-end="300"> <td data-start="209" data-end="234" data-col-size="md">Drive (tensão de gate)</td> <td data-col-size="md" data-start="234" data-end="241">10 V</td> <td data-col-size="sm" data-start="241" data-end="300">?10 V drive type?</td> </tr> <tr data-start="301" data-end="390"> <td data-start="301" data-end="343" data-col-size="md">V_DS (tensão drenador?fonte, breakdown)</td> <td data-start="343" data-end="390" data-col-size="md">600 V</td> <td data-col-size="sm"> </td> </tr> <tr data-start="391" data-end="490"> <td data-start="391" data-end="444" data-col-size="md">I_D contínua de drenador (Tc, temperatura do case)</td> <td data-start="444" data-end="490" data-col-size="md">20 A</td> <td data-col-size="sm"> </td> </tr> <tr data-start="491" data-end="573"> <td data-start="491" data-end="523" data-col-size="md">R_DS(on) típico (V_GS = 10 V)</td> <td data-start="523" data-end="573" data-col-size="md">~ 0,17 ?</td> <td data-col-size="sm"> </td> </tr> <tr data-start="574" data-end="649"> <td data-start="574" data-end="600" data-col-size="md">Carga total do gate Q_g</td> <td data-col-size="md" data-start="600" data-end="649">~ 60 nC</td> <td data-col-size="sm"> </td> </tr> <tr data-start="650" data-end="745"> <td data-start="650" data-end="695" data-col-size="md">Tempo de recuperação reversa (T_rr) típico</td> <td data-start="695" data-end="745" data-col-size="md">~ 550 ns</td> <td data-col-size="sm"> </td> </tr> <tr data-start="746" data-end="837"> <td data-start="746" data-end="777" data-col-size="md">Temperatura de armazenamento</td> <td data-start="777" data-end="837" data-col-size="md">?55 °C até +150 °C</td> <td data-col-size="sm"> </td> </tr> <tr data-start="838" data-end="937"> <td data-start="838" data-end="870" data-col-size="md">Potência máxima de dissipação</td> <td data-start="870" data-end="937" data-col-size="md">~ 50 W (condição de case)</td> <td data-col-size="sm"> </td> </tr> <tr data-start="938" data-end="1039"> <td data-start="938" data-end="965" data-col-size="md">Encapsulamento / tamanho</td> <td data-start="965" data-end="1039" data-col-size="md">TO?220FM (3 pinos, through?hole)</td> <td data-col-size="sm"> </td> </tr> <tr data-start="1040" data-end="1149"> <td data-start="1040" data-end="1062" data-col-size="md">Dimensões do pacote</td> <td data-start="1062" data-end="1149" data-col-size="md">~ 10,1 × 15,1 mm, espessura (flange) ~ 4,8 mm</td> <td data-col-size="sm"> </td> </tr> </tbody> </table> <br />Características e Limitações:<br />?Super Junction? MOSFET de alta tensão ? desenhado para operar em ambientes onde é preciso suportar tensões elevadas.<br />Baixa resistência ?on? relativa para sua classe, mas ainda significativa ? isso implica em perdas de condução quando a corrente for alta.<br />A carga do gate (~60 nC) e tempo de recuperação (T_rr) significam que não é exatamente ultrarrápido; para frequências muito altas isso pode representar limitação de eficiência ou exigência de driver de gate robusto.<br />Temperaturas de junção/case devem ser bem gerenciadas, pois dissipação de 50 W exige bom dissipador ou bom fluxo de ar.<br />O limite do gate?source V_GS geralmente é ±20 V (mas trabalhar sempre dentro da faixa garantida para R_DS(on) ideal) para evitar dano ao gate.<br /><br />Aplicações Típicas:<br />Fontes chaveadas (SMPS) de alta tensão:<br />Inversores ou conversores para motores ou outros atuadores onde haja tensão elevada<br />Chaves de potência em circuitos com isolamento ou que requeiram suportar picos elevados<br />Utilização em paralelo possível, mas atenção à igualação de resistências e controle térmico<br />Valor Unitário<br />Imagem Ilustrativa</div> <div class="group _tableWrapper_1rjym_13 flex w-fit flex-col-reverse" tabindex="-1"> </div> <div class="group _tableWrapper_1rjym_13 flex w-fit flex-col-reverse" tabindex="-1">Para mais informações, entre em contato.</div> </div>