Transistor IGBT G40H120DF2 = STGWA40H120DF2

<p>Transistor IGBT G40H120DF2 = STGWA40H120DF2 ST<br />IGBT G40H120DF2 = STGWA40H120DF2<br />IGBT de parada de campo com gate de trincheira, série H, 1200V, 40A de alta velocidade<br /><br />Especificações:<br />Fabricante: STMicroelectronics <br />Categoria do produto: IGBTs <br />Tecnologia: Si <br />Embalagem/Caixa: TO-247-3 <br />Estilo de montagem: Furo passante <br />Configuração: Solteiro <br />Tensão coletor-emissor VCEO máx.: 1,2 kV <br />Tensão de saturação coletor-emissor: 2,5 V <br />Tensão máxima entre porta e emissor: - 20 V, 20 V <br />Corrente contínua do coletor a 25 °C: 80 A <br />Pd - Dissipação de energia: 468 W <br />Temperatura mínima de funcionamento: - 55°C <br />Temperatura máxima de funcionamento: + 175 C <br />Série: STGWA40H120DF2 <br />Embalagem: Vareta <br />Marca: STMicroelectronics <br />Corrente contínua do coletor: 40 A <br />Corrente contínua do coletor Ic Máx.: 80 A <br />Corrente de fuga entre porta e emissor: 250 nA <br />Altura: 5,15 mm <br />Comprimento: 20,15 mm <br />Faixa de temperatura de operação: -55 °C a +175 °C <br />Tipo de produto: Transistores IGBT <br />Subcategoria: IGBTs <br />Largura: 15,75 mm<br /><br />O <strong data-start="146" data-end="164">STGWA40H120DF2</strong> é um <strong data-start="170" data-end="225">transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)</strong> de potência da STMicroelectronics, projetado com tecnologia <strong data-start="286" data-end="312">Trench Gate Field-Stop</strong>, que oferece um excelente equilíbrio entre <strong data-start="356" data-end="390">perdas de condução e comutação</strong> ? ideal para aplicações de conversão de energia com alta frequência.<br />Esse dispositivo pertence à <strong data-start="526" data-end="537">série H</strong>, com tensão de bloqueio mais elevada para aplicações de potência industrial onde são exigidos níveis altos de tensão e corrente.<br /><br />Características Técnicas Detalhadas:<br /><strong data-start="754" data-end="784">Estrutura e Tecnologia<br /></strong>Tipo: <strong data-start="793" data-end="832">IGBT de potência de alta velocidade<br /></strong>Tecnologia: <strong data-start="849" data-end="875">Trench Gate Field-Stop</strong> (estrutura avançada para eficiência de comutação).</p> <p data-start="965" data-end="993"><strong data-start="965" data-end="993">Capacidades Elétricas:<br /></strong><strong data-start="996" data-end="1048">Tensão máxima coletor-emissor:</strong> <strong data-start="1049" data-end="1059">1200 V</strong> ? apropriado para sistemas industriais de alta potência.<br /><strong data-start="1158" data-end="1207">Corrente contínua de coletor:</strong> até <strong data-start="1212" data-end="1220">80 A</strong> @ 25 °C (40 A @ 100 °C), com picos de <strong data-start="1259" data-end="1268">160 A</strong> em regime pulsado.<br /><strong data-start="1329" data-end="1382">Tensão de saturação típica:</strong> cerca de <strong data-start="1392" data-end="1408">2,1 V @ 40 A</strong> ? reduz perdas durante condução.<br /><strong data-start="1483" data-end="1524">Capacidade de dissipação de potência:</strong> cerca de <strong data-start="1534" data-end="1543">468W</strong>.</p> <p data-start="1585" data-end="1611"><strong data-start="1585" data-end="1611">Desempenho Térmico<br /></strong><strong data-start="1614" data-end="1647">Temperatura máxima de junção:</strong> até <strong data-start="1652" data-end="1662">175 °C</strong>.<br /><strong data-start="1705" data-end="1734">Baixa resistência térmica</strong> ajuda na dissipação eficaz do calor.</p> <p data-start="1812" data-end="1827"><strong data-start="1812" data-end="1827">Comutação:<br /></strong>Série de comutação <strong data-start="1849" data-end="1871">de alta velocidade</strong> com <strong data-start="1876" data-end="1908">corrente de cauda minimizada</strong>, melhorando a eficiência em frequências elevadas.<br /><strong data-start="2002" data-end="2046">Diodo antiparalelo de recuperação rápida</strong> integrado.</p> <p> </p> <p data-start="2100" data-end="2131"><strong data-start="2100" data-end="2131">Configuração e Embalagem:<br /></strong><strong data-start="2134" data-end="2153">Encapsulamento:</strong> <strong data-start="2154" data-end="2179">TO-247-3 through-hole</strong> ? padrão para dispositivos de potência com facilidade de montagem em dissipadores térmicos.<br /><br />Principais Benefícios:<br />Alta tensão de operação para aplicações robustas.<br data-start="2437" data-end="2440" />Excelente desempenho em comutação rápida.<br data-start="2522" data-end="2525" />Permite paralelismo seguro graças à distribuição estável dos parâmetros.<br data-start="2638" data-end="2641" />Operação confiável em temperaturas elevadas.<br /><br />Aplicações Típicas:<br />Esse IGBT é amplamente utilizado em sistemas de potência industrial, como:<br />Inversores e conversores de frequência<br />Fontes chaveadas de alta potência<br />UPS (fontes de alimentação ininterruptas)<br />Correção ativa do fator de potência<br />Inversores fotovoltaicos e sistemas solares<br />Máquinas de solda industriais<br />Conversores de motor elétrico de grande porte?<br />Valor Unitário<br />Imagem Ilustrativa<br /><br />Para mais informações, entre em contato.</p>