Transistor IGBT G25M120DF3 = STGW25M120DF3

<p>Transistor IGBT G25M120DF3 = STGW25M120DF3<br />IGBTs de porta de trincheira com parada de campo, série M, 1200V, 25A, baixa perda<br /><br />Especificações:<br />Fabricante: STMicroelectronics <br />Categoria do produto: IGBTs <br />Tecnologia: Si <br />Embalagem/Caixa: TO-247-3 <br />Estilo de montagem: Furo passante <br />Configuração: Solteiro <br />Tensão coletor-emissor VCEO máx.: 1,2 kV <br />Tensão de saturação coletor-emissor: 1,85 V <br />Tensão máxima entre porta e emissor: - 20 V, 20 V <br />Corrente contínua do coletor a 25 °C: 50 A <br />Pd - Dissipação de energia: 326 W <br />Temperatura mínima de funcionamento: - 55°C <br />Temperatura máxima de funcionamento: + 175 C <br />Série: M <br />Embalagem: Vareta <br />Marca: STMicroelectronics <br />Corrente de fuga entre porta e emissor: 250 nA <br />Tipo de produto: Transistores IGBT <br />Subcategoria: IGBTs <br /><br />O <strong data-start="182" data-end="199">STGW25M120DF3</strong> é um <strong data-start="205" data-end="260">transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)</strong> de potência com tecnologia <strong data-start="288" data-end="314">Trench Gate Field-Stop</strong> da STMicroelectronics, projetado para oferecer um <strong data-start="365" data-end="471">equilíbrio otimizado entre desempenho e eficiência em aplicações de potência industrial de alta tensão</strong>. Ele faz parte da <strong data-start="490" data-end="510">série M de IGBTs</strong>, conhecida por perdas baixas e capacidade de suportar curtos-circuitos por curtos períodos.</p> <h3 data-start="647" data-end="689">Características Técnicas Detalhadas:<br /><strong data-start="691" data-end="715">Tipo e Tecnologia<br /></strong><strong data-start="718" data-end="775">IGBT de potência com estrutura Trench Gate Field-Stop</strong> ? otimizado para baixa perda e eficiência de comutação.</h3> <p data-start="871" data-end="898"><strong data-start="871" data-end="898">Capacidades Elétricas:<br /></strong><strong data-start="901" data-end="953">Tensão máxima coletor-emissor:</strong> <strong data-start="954" data-end="964">1200V</strong> ? adequado para aplicações industriais de alta tensão. <br /><strong data-start="1062" data-end="1095">Corrente contínua de coletor:</strong> tipicamente até <strong data-start="1112" data-end="1120">50 A</strong> dependendo da condição térmica e de projeto do circuito. <br /><strong data-start="1220" data-end="1282">Tensão de saturação coletor-emissor:</strong> aproximadamente <strong data-start="1299" data-end="1316">1,85 V @ 25 A</strong> (típica), reduzindo perdas durante condução.<br /><strong data-start="1404" data-end="1438">Potência máxima de dissipação:</strong> cerca de <strong data-start="1448" data-end="1457">375 W</strong> em condições ideais de resfriamento. <strong data-start="1537" data-end="1586">Tensão máxima porta-emissor:</strong> ±20 V ? típico para controle de gate.</p> <p data-start="1664" data-end="1690"><strong data-start="1664" data-end="1690">Desempenho Térmico:<br /></strong><strong data-start="1693" data-end="1726">Temperatura máxima de junção:</strong> até <strong data-start="1731" data-end="1741">175 °C</strong>, permitindo operação robusta em ambientes severos.<br /><strong data-start="1835" data-end="1864">Baixa resistência térmica</strong> ? favorece melhor dissipação de calor.</p> <p data-start="1943" data-end="1970"><strong data-start="1943" data-end="1970">Comutação e Proteção:<br /></strong><strong data-start="1973" data-end="2024">Tempo de resistência a curto-circuito (~10 µs):</strong> protege o dispositivo em eventos transitórios.<br /><strong data-start="2116" data-end="2168">Diodo antiparalelo de recuperação suave e rápida</strong> ? melhora a performance em modos de comutação reversa.</p> <p data-start="2265" data-end="2286"><strong data-start="2265" data-end="2286">Encapsulamento:<br /></strong><strong data-start="2289" data-end="2308">Pacote TO-247-3</strong> ? adequado para montagem em dissipadores térmicos e uso em aplicações de alta potência.</p> <p> </p> <h3 data-start="2443" data-end="2471">Principais Benefícios:<br />Excelente <strong data-start="2485" data-end="2523">eficiência de comutação e condução</strong> com perdas reduzidas.<br />Capacidade de operação em <strong data-start="2616" data-end="2647">alta tensão e alta corrente</strong>.<br />Projeto robusto para <strong data-start="2714" data-end="2749">ambientes industriais exigentes</strong>.<br />Boa performance para <strong data-start="2816" data-end="2840">paralelamento seguro</strong> em sistemas com múltiplos IGBTs.<br /><br />Aplicações Típicas:<br />Este transistor IGBT é ideal para uso em:<br /><strong data-start="2992" data-end="3032">Conversores e inversores industriais<br /></strong><strong data-start="3037" data-end="3074">Fontes chaveadas de alta potência<br /></strong><strong data-start="3079" data-end="3123">UPS (Fontes de Alimentação Ininterrupta)<br /></strong><strong data-start="3128" data-end="3172">Controle de motores e drives industriais<br /></strong><strong data-start="3177" data-end="3237">Inversores fotovoltaicos e sistemas de energia renovável<br /></strong><strong data-start="3242" data-end="3290">Soldagem elétrica e equipamentos de potência<br />Valor Unitário<br />Imagem Ilustrativa<br /><br />Para mais informações, entre em contato.</strong></h3>