Transistor FQPF12N80C Fairchild

<p>Transistor FQPF12N80C Fairchild <br /><br />O FQPF12N80C é um transistor MOSFET de potência canal N desenvolvido pela Fairchild (onsemi), projetado para aplicações que exigem alta tensão, eficiência e confiabilidade. Ele suporta até 800V entre dreno e fonte e corrente contínua de até 12A, sendo amplamente utilizado em fontes chaveadas, inversores, iluminação eletrônica e equipamentos industriais.<br />Fabricado no encapsulamento TO-220F isolado, oferece melhor dissipação térmica e maior segurança elétrica. <br />Possui excelente desempenho em comutação e baixa perda de energia, garantindo maior eficiência e durabilidade do circuito.<br /><br />Características Técnicas:<br />Tipo: MOSFET Canal N<br />Tensão Dreno-Fonte (Vds): 800V<br />Corrente de Dreno (Id): 12A<br />Tensão Gate-Source (Vgs): ±30V<br />Dissipação Máxima: Alta capacidade térmica<br />Temperatura de Junção Máxima: 150°C<br />Encapsulamento: TO-220F isolado<br />Alta eficiência e comutação rápida<br />Esses MOSFETs são indicados para aplicações de alta tensão e fontes chaveadas devido à sua capacidade de suportar tensões elevadas e operar com boa eficiência energética.<br /><br />Aplicações:<br />Fontes chaveadas (SMPS)<br />Fontes de alimentação industriais<br />Inversores<br />Correção de fator de potência (PFC)<br />Reatores eletrônicos<br />Equipamentos de automação<br />Carregadores e sistemas de energia<br />MOSFETs dessa categoria são amplamente utilizados em equipamentos de potência e comutação de alta frequência.<br /><br />Conteúdo da Embalagem:<br />01 Transistor MOSFET FQPF12N80C<br /><br />Para mais informações, entre em contato.</p>